题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的叙述是（)
A.突触前末梢超极化
B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜超极化
E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大
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A.突触前末梢超极化
B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜超极化
E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大
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A.胞内钙离子浓度增加促进囊泡向突触前膜移动
B.递质与突触后膜受体结合，打开某种离子通道
C.突触前膜去极化，膜对钙离子的通透性减少
D.突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位
E.囊泡内递质释放至突触间隙
产生抑制性突触后电位时，通透性最大的离子是()A.K+B.Ca2+C.HCO3-D.C1-E.Na+
膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （）
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （）
A．Na+、K+，尤其是Na+
B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
C．Na+、Cl、K+，尤其是K+
D．K+、Cl-，尤其是Cl-
E．K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
A.TAU只能在IDLE模式下发起，TAU分为普通TAU和周期性TAU
B.TAC是MME对UE移动性管理的区域，TAU可以在IDLE或CONNECT模式下发起
C.TAU过程一定要先进行随机接入，TAC内所有小区的PAGING数量是一样的
D.TAU是NAS层的过程，TAU过程不要先进行随机接入
